ФОТОРЕЗИСТОР

- полупроводниковый резистор, изменяющий своё электрич. сопротивление под действием внеш. эл.-магн. излучения. Ф. относятся к фотоэлектрич. приёмникам излучения, их принцип действия основан на внутр. фотоэффекте в полупроводниках (см. Фотопроводимость). Основу Ф. составляет слой (или плёнка) полупроводникового материала на подложке (или без неё) с нанесёнными на него электродами, посредством к-рых Ф. подключается к электрич. цепи. Фоторезистивный слой получается, напр., прессованием порошка или распылением водно-спиртовой суспензии полупроводникового материала непосредственно на поверхности подложки, хим. осаждением, эпитаксией, напылением. Полученные т.

ФОТОРЕЗИСТОР фото №1

Рис. 1. Охлаждаемый фоторезистор: 1 - входное окно; 2 - фоточувствительный элемент; 3 - контактная колодка; 4 - предусилитель; 5 - теплоотвод: 6 - электрические выводы; 7-основание; 8- терморезистор; 9 - термо электрический охладитель.

Основные параметры фоторезистора: темновое сопротивление (10¹-10¹⁴ Ом); спектральный диапазон чувствительности (0,5-120 мкм); постоянная времени (10^-2- 10^-9 с); вольтовая чувствительность (10³-10⁶ В/Вт); обнаружительная способность (10⁸ -10¹⁶ см•Гц ^1/2•Вт ^-1); температурный коэф.чувствительности (0,1-5%/К); рабочее напряжение (0,1 -100 В).

ФОТОРЕЗИСТОР фото №2

Рис. 2. Кривые спектральной чувствительности фоторезисторов на основе CdS (кривая I), CdSe (2), PbS (3), твёрдого раствора PbS-PbSe (4,5), PbSe (6), PbSn(Te) (7).

Ф. обладают избирательностью к внеш. излучению: так, Ф. на основе CdS и CdSe чувствительны к видимому, УФ-, рентг. и g-излучениям, а также к ближнему ИК-излучению; Ф. на основе PbS, PbSe, InSb, CdHgTe и PbSnSe -к ИК-излучению с длиной волны до 14 мкм (рис. 2), а на основе легированных Si и Ge - до 40 мкм. Высокая чувствительность, стабильность фотоэлектрич. характеристик во времени, малая инерционность, простота устройства, допускающая разнообразное конструктивно-технол. исполнение, способность работать в широком диапазоне механич. и климатич. воздействий обусловили широкое использование Ф. в приборах и устройствах оптоэлектроники. (См. также Полупроводниковые материалы. Полупроводниковые приборы.)

Лит.: Олеск А. О., Фоторезисторы, М.- Л., 1966; Пасынков В. В., Чиркин Л. К., Шинков А. Д., Полупроводниковые приборы, 4 изд., М., 1987. А. О. Олеск.

Физическая энциклопедия. В 5-ти томах. — М.: Советская энциклопедия.Главный редактор А. М. Прохоров.1988.

Синонимы:

диод

Смотреть больше слов в «Физической энциклопедии»

ФОТОРЕЗИСТЫ →← ФОТОПЬЕЗОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ЭФФЕКТ

ФОТОРЕЗИСТОР

Синонимы слова "ФОТОРЕЗИСТОР":

Смотреть что такое ФОТОРЕЗИСТОР в других словарях:

Рекомендуем посмотреть: