БЕСЩЕЛЕВЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ


полупроводники с шириной запрещённой зоны ?g=0. Встречаются Б. п. двух типов: Г) отсутствие запрещённой зоны обусловлено симметрией кристаллов и вырождением электронных состояний (см. ЗОННАЯ ТЕОРИЯ); примеры подобных Б. п.— a-Sn, HgTe и HgSe (рис.); 2) ?g=0 лишь при определ. условиях (давлении, температуре, концентрации компонентов в случае тв.р-ра и т. п.).
БЕСЩЕЛЕВЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ> </div> <div> Зависимость энергии ? от квазиимпульса р бесщелевых ПП 1-го типа: a — зона проводимости; б — <a href=валентная зона.
Наиболее типичные представители — сплавы Bi—Sb, системы CdxHg1-xТе, Pb1-x SnxTe и др.
Б. п. 1-го типа образуют своеобразную границу между полуметаллами и ПП. Так как у Б. п. для перехода эл-нов из валентной зоны в зону проводимости не нужна энергия активации, то они имеют высокую диэлектрич. проницаемость. Сравнительно слабое электрич. поле увеличивает концентрацию подвижных носителей заряда, приводя к существенному отклонению от закона Ома. В Б. п. большую роль чем в обычных ПП, играет кулоновское вз-ствие эл-нов между собой и с примесными ионами. Практич. применения такие Б. п. пока не нашли.
В Б. п. 2-го типа подвижность носителей достигает рекордных значений, что облегчает наблюдение ряда кинетич. эффектов в электрич. и магн. полях. С этими Б. п. связан вопрос о фазовом переходе диэлектрик — металл; они используются в ПП приборостроении (приёмники ИК излучения, охлаждающие устройства и др.).

Физический энциклопедический словарь. — М.: Советская энциклопедия..1983.



Физическая энциклопедия 

БЕТАРАСПАД →← БЕССТОЛКНОВИТЕЛЬНОЕ ЗАТУХАНИЕ

T: 0.143579543 M: 3 D: 3